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          電子封裝復合材料

          材料特點 Material Feature


          為推動國內電子基礎材料的進步,本公司已經開發電子封裝熱控制復 合金屬材料---CIC與CMC。它是將低熱膨脹系數的材料與高導熱 的材料通過用物理冶金結合的方法制成的,該材料具有高熱導、低膨 脹系數(并可調整)、高強度的綜合特性。實踐證明,正是由于其上 述特別是熱匹配性好的特點,相比其它材料如芯片、氧化鋁陶瓷等進 行封裝時,大大降低了失敗率(幾乎為零),并且避免了使用過程中 反復熱沖擊產生熱應力的可能性,使元器件的可靠性大為提高。 該系列材料的性能見下表,同時列出電子封裝常規材料純Mo的性 能。從表中的對比可看出,CIC-1材料(目前已批量推出市場)的 性能與純鉬十分接近,且比重小,釬焊錫性能極佳(可省去Mo鍍鎳 復雜工序)。因此CIC-1做為熱沉、上下引極(過橋)、引線框架 等材料已應用于電力電子(如可控硅、晶閘管模塊、大功率固態繼電 器)、HIC及印刷電路基板、集成電路封裝等許多領域。尤其值得一 提的是,該材料價格較純鉬低廉得多。


          電子封裝熱控制復合金屬材料性能表


          電子封裝復合材料性能表.png


          備注: 

          1)CIC與CMC可根據用戶要求調整熱膨脹系數、熱導率、抗拉強 度等性能。  

          2)該熱導率系CIC-1平行與表面方向值,另我公司已推出垂直方向 達到100 v/m.℃的CIC材料。 


          產品形式 The shapes we supplied 公司提供的該系列材料主要有下列兩種形式: 

             1)成卷帶材;

             2)沖壓片件。目前已提供給各類用戶有圓片、方片、特殊折彎型等 20余種。另可根據各用戶的特殊要求進行材料設計與制造。 

              (如在材料上覆釬焊層)

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